存储芯片:“饥饿游戏”开启,一场为期四年的上行周期
摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近日发布的报告中表示,由云服务提供商引领的“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段。
摩根大通分析师Jay Kwon、Sangsik Lee等在近日发布的报告中表示,由云服务提供商引领的“内存饥渴”趋势正在推动整个行业进入结构性增长阶段。
2025年9月25日,国内领先的NAND闪存制造商长江存储(YMTC)宣布进军DRAM市场,重点开发高带宽内存(HBM),以应对国内AI芯片制造的内存短缺问题。YMTC计划与国内DRAM龙头长鑫存储(CXMT)合作,利用其在混合键合(hybrid bondin
存储器作为半导体产业规模最大的分支之一,2024年全球存储芯片销售额达1655.16亿美元,占全球半导体市场(6305.49亿美元)的26.25%,目前市场仍由美、日、韩大厂主导(NAND前五大厂商占比92.7%,DRAM前五大厂商占比95.7%)。AI技术的
截至2025年8月28日的季度中,美光科技收入达到113.2亿美元的历史最高纪录,超出110亿美元预期上限,较去年同期的77.5亿美元增长46%,GAAP利润3.2亿美元,同比增长261%。2025财年全年收入373.8亿美元,较上年增长48.9%,利润增至8
自今年第二季度以来,受DRAM价格大幅上涨,叠加产品结构调整成效显现的双重推动,营收与毛利率表现显著改善,市场预期第三季度业绩仍将保持环比增长态势。
国内互联网巨头大力投入AI,资本支出大幅增长,拉动企业级存储需求。全球头部厂商将产能从传统产品转向高端产品,导致传统存储产品供应紧张,DRAM价格指数半年涨上约72%。
国内互联网巨头大力投入AI,资本支出大幅增长,拉动企业级存储需求。全球头部厂商将产能从传统产品转向高端产品,导致传统存储产品供应紧张,DRAM价格指数半年涨上约72%。
► 商务部等九部门:印发了《关于促进服务出口的若干政策措施》。包含用好用足中央和地方现有资金渠道积极支持服务出口、完善保税监管制度等13项具体措施。提出支持在自贸试验区、海南自由贸易港、国家服务业扩大开放综合试点示范地区等建立国际数据中心和云计算中心。
营收113.2亿美元,同比增长46%,环比增长22%,再创历史新高;预计FY26Q1营收125亿美元,同比增长44%,环比增长11%,继续环比增长;GAAP毛利率44.7%,环比增长7个百分点;预计FY26Q1毛利率50.5%,环比增长5.8个百分点(GAAP
在最新的2025财年第四季度及全年财报电话会议上,美光科技披露了DRAM与NAND闪存业务的关键进展。财报数据显示,公司该季度营收达113.2亿美元(较上季度的93亿美元增长显著),全年营收从251.1亿美元提升至373.8亿美元。目前,美光正通过下一代技术方
中银证券发布研报称,受DRAM原厂停产旧制程DRAM产品影响,DDR4LPDDR4X价格大幅上涨,DRAM市场持续景气。继25Q3报价上涨后,行业25Q4有望实现20%-50%季度环比涨幅。南亚科25Q3合约价环比大涨70%,25Q4环比上涨50%。华邦电25
周二美股盘后,在AI热潮的推动下,全球存储芯片大厂美光科技公布了好于预期的2025年第四财季(截至8月28日的三个月)营收和利润,并对当前季度(26财年第一财季)业绩给出了强劲的指引。
美光公布截至2025年8月28日的FY2025Q4财季(2025年6月-8月)业绩,该季营收113.2亿美元,环比增长22%,同比增长46%,再创历史新高;Non-GAAP下,营业利润39.6亿美元,营业利润率由上季度的26.8%上升至35%;净利润34.7亿
AI引发的芯片狂热正从GPU等逻辑芯片,迅速蔓延至内存领域。摩根士丹利认为,内存市场,特别是闪存(NAND),正处于一个持久上升周期的“早期阶段”。
美光科技第四季度财报结果超出了预期,这对人工智能交易和希望能够维持近期上涨势头的投资者是一个积极信号。
9月23日盘后(美东时间),美光科技披露了2025财年第四财季(截至8月31日)业绩,期内实现营收约为113亿美元,同比增长46%,环比增长22%,超出市场预期,同时也创下了单季度记录;实现调整后营业利润40亿美元,同比增长127%;调整后的稀释后每股收益(E
美光截至上月末的第四财季业绩加速增长,超越本已上调的公司指引。AI基础设施建设关键产品——高带宽内存(HBM)继续强劲增长、营收创新高,推动整个数据中心业务全财年创新高。美光还预计,本财季的营收将刷新前一季所创的最高纪录,且增幅碾压分析师预期。
9月17日,精智达(688627.SH)发布公告称,公司与半导体客户于近日签订了3.23亿元重大合同。此后四个交易日,精智达的股价持续上行,总市值突破150亿元,并创下历史新高。
SK海力士(SK Hynix)正在其清州M15X工厂安装一条全新的1b DRAM试生产线,以应对不断攀升的高带宽存储器(HBM)需求。据The Bell消息,设备安装计划于今年11月完成,试生产线初期预计月产能达到一万片晶圆。
韩媒 Newdaily 当地时间今日援引业内人士消息称,三星电子近日向主要客户通知,接下来的 2025 年第四季度中移动端的 DRAM 内存 (LPDDR) 和 NAND 闪存 (UFS / eMMC) 产品合约价将出现一轮上涨。